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TPH5200FNH,L1Q TPH5200FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14486&prodName=TPH5200FNH Description: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
auf Bestellung 2899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.05 EUR
10+3.47 EUR
100+2.49 EUR
500+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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TPH5200FNH,L1Q TPH5200FNH,L1Q Toshiba FBB171574B59D27287CCCC26D2143BC72C8E6B3E43350E9B24CBDC5C2020EEEC.pdf MOSFETs Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 18909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+3.41 EUR
100+2.45 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.15 EUR
2500+2.08 EUR
5000+1.87 EUR
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TPH5200FNH,L1Q(M TPH5200FNH,L1Q(M TOSHIBA 3934808.pdf Description: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TPH5200FNH,L1Q(M TPH5200FNH,L1Q(M TOSHIBA 3934808.pdf Description: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TPH5200FNH,L1Q(M TPH5200FNH,L1Q(M Toshiba tph5200fnh_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+3.87 EUR
77+1.83 EUR
100+1.6 EUR
200+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 42
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TPH5200FNH,L1Q TPH5200FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14486&prodName=TPH5200FNH Description: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
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TPH5200FNH,L1Q TPH5200FNH,L1Q Toshiba tph5200fnh_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R
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TPH5200FNH,L1Q docget.jsp?did=14486&prodName=TPH5200FNH
TPH5200FNH,L1Q
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
auf Bestellung 2899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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TPH5200FNH,L1Q
Hersteller: Toshiba
MOSFETs Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 18909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.96 EUR
10+3.41 EUR
100+2.45 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.15 EUR
2500+2.08 EUR
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TPH5200FNH,L1Q(M 3934808.pdf
TPH5200FNH,L1Q(M
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH5200FNH,L1Q(M 3934808.pdf
TPH5200FNH,L1Q(M
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH5200FNH,L1Q(M tph5200fnh_datasheet_en_20191018.pdf
TPH5200FNH,L1Q(M
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
42+3.87 EUR
77+1.83 EUR
100+1.6 EUR
200+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 42
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TPH5200FNH,L1Q docget.jsp?did=14486&prodName=TPH5200FNH
TPH5200FNH,L1Q
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
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TPH5200FNH,L1Q tph5200fnh_datasheet_en_20191018.pdf
TPH5200FNH,L1Q
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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