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TPH6R003NL Toshiba


TPH6R003NL_datasheet_en_20140218-1915968.pdf
Hersteller: Toshiba
MOSFET
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Technische Details TPH6R003NL Toshiba

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 57A; Idm: 117A; 34W; SOP8, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 117A, Power dissipation: 34W, Polarisation: unipolar, Drain current: 57A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 30V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: SOP8, On-state resistance: 8.3mΩ.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TPH6R003NL,LQ(S TPH6R003NL,LQ(S TOSHIBA TPH6R003NL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 57A; Idm: 117A; 34W; SOP8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Drain current: 57A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 8.3mΩ
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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TPH6R003NL,LQ(S TPH6R003NL.pdf
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 57A; Idm: 117A; 34W; SOP8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Drain current: 57A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 8.3mΩ
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