| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 140+ | 1.26 EUR |
| 286+ | 0.61 EUR |
| 313+ | 0.55 EUR |
| 314+ | 0.52 EUR |
| 500+ | 0.43 EUR |
| 1000+ | 0.39 EUR |
| 2000+ | 0.38 EUR |
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Technische Details TPH8R903NL,LQ(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TPH8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 7600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 24W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm.
Weitere Produktangebote TPH8R903NL,LQ(S nach Preis ab 0.69 EUR bis 3.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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TPH8R903NL,LQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 7600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 24W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TPH8R903NL,LQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 7600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TPH8R903NL,LQ(S |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 7600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
Description: TOSHIBA - TPH8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 7600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
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Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
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Kanaltyp: n-Kanal
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 81+ | 3.09 EUR |
| 128+ | 1.81 EUR |
| 193+ | 1.12 EUR |
| 500+ | 0.87 EUR |
| 1000+ | 0.8 EUR |
| 5000+ | 0.69 EUR |
| TPH8R903NL,LQ(S |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 7600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
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SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 7600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
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Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
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SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.45 EUR |
| 116+ | 2.01 EUR |
| 174+ | 1.24 EUR |
| 500+ | 0.96 EUR |
| 1000+ | 0.88 EUR |
| 5000+ | 0.79 EUR |