| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 140+ | 1.02 EUR |
| 286+ | 0.48 EUR |
| 313+ | 0.42 EUR |
| 314+ | 0.41 EUR |
| 500+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.28 EUR |
| 2000+ | 0.27 EUR |
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Technische Details TPH8R903NL,LQ(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TPH8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 7600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 24W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote TPH8R903NL,LQ(S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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TPH8R903NL,LQ(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 7600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TPH8R903NL,LQ(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 7600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |