TPHR6503PL1,LQ(M TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPHR6503PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 420 A, 0.00041 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410µohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPHR6503PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 420 A, 0.00041 ohm, SOP, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
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Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 8354 Stücke:
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Technische Details TPHR6503PL1,LQ(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPHR6503PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 420 A, 0.00041 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 420A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 210W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210W, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 410µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410µohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote TPHR6503PL1,LQ(M nach Preis ab 2.11 EUR bis 2.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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TPHR6503PL1,LQ(M | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPHR6503PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 420 A, 0.00041 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 420A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 210W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 410µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410µohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 8354 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TPHR6503PL1,LQ(M | Hersteller : Toshiba | TPHR6503PL1,LQ(M |
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| TPHR6503PL1,LQ(M | Hersteller : Toshiba | MOSFET SOP-8 SINGLE |
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