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TPM1R908QM,LQ(T

TPM1R908QM,LQ(T TOSHIBA

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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPM1R908QM,LQ(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 238 A, 1900 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOS X-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
auf Bestellung 3088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+11.95 EUR
35+6.82 EUR
100+4.56 EUR
500+3.45 EUR
1000+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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Technische Details TPM1R908QM,LQ(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPM1R908QM,LQ(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 238 A, 1900 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 238A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 250W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOS X-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm.