Produkte > TOSHIBA > TPN2R203NC,L1Q(M
TPN2R203NC,L1Q(M

TPN2R203NC,L1Q(M Toshiba

tpn2r203nc_datasheet_en_20191030.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
137+1.07 EUR
205+0.69 EUR
220+0.62 EUR
221+0.59 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 137
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details TPN2R203NC,L1Q(M Toshiba

Description: TOSHIBA - TPN2R203NC,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote TPN2R203NC,L1Q(M

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
TPN2R203NC,L1Q(M TPN2R203NC,L1Q(M Hersteller : TOSHIBA 3934829.pdf Description: TOSHIBA - TPN2R203NC,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3827 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN2R203NC,L1Q(M TPN2R203NC,L1Q(M Hersteller : TOSHIBA 3934829.pdf Description: TOSHIBA - TPN2R203NC,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3827 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN2R203NC,L1Q(M TPN2R203NC,L1Q(M Hersteller : Toshiba tpn2r203nc_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH