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TPN2R304PL,L1Q

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Produktcode: 194006
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TPN2R304PL,L1Q TPN2R304PL,L1Q Toshiba 94281B532B57319E4B1C9A738696891699DA8E95B29D25881EF1E2B8905DDD95.pdf MOSFETs 40 Volt N-Channel
auf Bestellung 4376 Stücke:
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2+2.37 EUR
10+1.46 EUR
100+0.99 EUR
500+0.81 EUR
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TPN2R304PL,L1Q TPN2R304PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30264&prodName=TPN2R304PL Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 20 V
auf Bestellung 3615 Stücke:
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9+2.45 EUR
14+1.54 EUR
100+1.01 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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TPN2R304PL,L1Q
Hersteller: Toshiba
MOSFETs 40 Volt N-Channel
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TPN2R304PL,L1Q
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 20 V
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