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TPN8R903NL,LQ

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Produktcode: 165086
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TPN8R903NL,LQ TPN8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14026&prodName=TPN8R903NL Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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TPN8R903NL,LQ TPN8R903NL,LQ Toshiba 336tpn8r903nl_datasheet_en_20140218.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R
auf Bestellung 2737 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
290+0.6 EUR
342+0.5 EUR
346+0.49 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 290 Stücke
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TPN8R903NL,LQ TPN8R903NL,LQ Toshiba 336tpn8r903nl_datasheet_en_20140218.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R
auf Bestellung 2737 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
270+0.64 EUR
289+0.58 EUR
290+0.56 EUR
342+0.45 EUR
346+0.43 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 270 Stücke
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TPN8R903NL,LQ TPN8R903NL,LQ Toshiba TPN8R903NL_datasheet_en_20140218-1915954.pdf MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 22W 630pF 37A 30V
auf Bestellung 8492 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+0.9 EUR
100+0.69 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.67 EUR
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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TPN8R903NL,LQ TPN8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14026&prodName=TPN8R903NL Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
auf Bestellung 7081 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.95 EUR
18+1.21 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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TPN8R903NL,LQ docget.jsp?did=14026&prodName=TPN8R903NL
TPN8R903NL,LQ
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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AnzahlPrivatkunde
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TPN8R903NL,LQ
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R
auf Bestellung 2737 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
290+0.6 EUR
342+0.5 EUR
346+0.49 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 290 Stücke
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TPN8R903NL,LQ
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R
auf Bestellung 2737 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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289+0.58 EUR
290+0.56 EUR
342+0.45 EUR
346+0.43 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
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TPN8R903NL,LQ
Hersteller: Toshiba
MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 22W 630pF 37A 30V
auf Bestellung 8492 Stücke:
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TPN8R903NL,LQ
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
auf Bestellung 7081 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+1.95 EUR
18+1.21 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
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Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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