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TPN8R903NL,LQ

TPN8R903NL,LQ Toshiba

336tpn8r903nl_datasheet_en_20140218.pdf.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R
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Technische Details TPN8R903NL,LQ Toshiba

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V.

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TPN8R903NL,LQ TPN8R903NL,LQ Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TPN8R903NL_datasheet_en_20140218.pdf?did=14026&prodName=TPN8R903NL Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
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TPN8R903NL,LQ TPN8R903NL,LQ Hersteller : Toshiba 336tpn8r903nl_datasheet_en_20140218.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
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TPN8R903NL,LQ TPN8R903NL,LQ Hersteller : Toshiba TPN8R903NL_datasheet_en_20140218-1915954.pdf MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 22W 630pF 37A 30V
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TPN8R903NL,LQ
Produktcode: 165086
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