TPS1100D Texas Instruments
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| Anzahl | Preis |
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| 179+ | 0.81 EUR |
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Technische Details TPS1100D Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 791mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V, Vgs (Max): +2V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45 nC @ 10 V.
Weitere Produktangebote TPS1100D nach Preis ab 0.78 EUR bis 3.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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TPS1100D | Hersteller : Texas Instruments |
 Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube |
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TPS1100D | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube |
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TPS1100D | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube |
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TPS1100D | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube |
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TPS1100D | Hersteller : Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 791mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V Vgs (Max): +2V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45 nC @ 10 V |
auf Bestellung 7680 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TPS1100D | Hersteller : Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 791mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V Vgs (Max): +2V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45 nC @ 10 V |
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TPS1100D | Hersteller : Texas Instruments |
MOSFETs MOSFET 10ns RT A 595-TPS1100DR |
auf Bestellung 2705 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TPS1100D | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube |
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| TPS1100D | Hersteller : TI |
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auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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TPS1100D | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube |
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