
TPS1100D Texas Instruments
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Anzahl | Preis |
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179+ | 0.83 EUR |
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Technische Details TPS1100D Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 791mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V, Vgs (Max): +2V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45 nC @ 10 V.
Weitere Produktangebote TPS1100D nach Preis ab 0.80 EUR bis 2.19 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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TPS1100D | Hersteller : Texas Instruments |
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TPS1100D | Hersteller : Texas Instruments |
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TPS1100D | Hersteller : Texas Instruments |
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TPS1100D | Hersteller : Texas Instruments |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 791mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V Vgs (Max): +2V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45 nC @ 10 V |
auf Bestellung 7680 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TPS1100D | Hersteller : Texas Instruments |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 791mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V Vgs (Max): +2V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45 nC @ 10 V |
auf Bestellung 346 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TPS1100D | Hersteller : Texas Instruments |
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auf Bestellung 2828 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TPS1100D | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -15V; -0.72A; Idm: 7A; SO8; ESD Case: SO8 Drain-source voltage: -15V Drain current: -0.72A On-state resistance: 0.18Ω Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: tube Version: ESD Gate charge: 5.45nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±15V Pulsed drain current: 7A Mounting: SMD |
auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TPS1100D | Hersteller : Texas Instruments |
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auf Bestellung 825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TPS1100D | Hersteller : TI |
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auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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TPS1100D | Hersteller : Texas Instruments |
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