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TPS1120D

TPS1120D Texas Instruments

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Hersteller: Texas Instruments
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.17A 8-Pin SOIC Tube
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Technische Details TPS1120D Texas Instruments

Description: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 840mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TPS1120D TPS1120D Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftps1120 Description: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
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TPS1120D TPS1120D Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftps1120 MOSFETs Dual P-Ch Enh-Mode M OSFET A 595-TPS1120 A 595-TPS1120DR
auf Bestellung 624 Stücke:
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10+5.84 EUR
75+4.33 EUR
525+3.62 EUR
1050+3.37 EUR
3000+3.19 EUR
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TPS1120D TI suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftps1120 05+
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TPS1120D
Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
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Mindestbestellmenge: 222 Stücke
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TPS1120D
Hersteller: Texas Instruments
MOSFETs Dual P-Ch Enh-Mode M OSFET A 595-TPS1120 A 595-TPS1120DR
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1+8.9 EUR
10+5.84 EUR
75+4.33 EUR
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Hersteller: TI
05+
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