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TPS1120D

TPS1120D TEXAS INSTRUMENTS

tps1120.pdf Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -15V; -0.53A; Idm: 7A; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -530mA
Pulsed drain current: 7A
Case: SO8
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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Anzahl Preis ohne MwSt
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37+ 1.96 EUR
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Technische Details TPS1120D TEXAS INSTRUMENTS

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -15V; -0.53A; Idm: 7A; SO8, Type of transistor: P-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -15V, Drain current: -530mA, Pulsed drain current: 7A, Case: SO8, Gate-source voltage: ±15V, On-state resistance: 0.18Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 5.45nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
TPS1120D TPS1120D Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS tps1120.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -15V; -0.53A; Idm: 7A; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -530mA
Pulsed drain current: 7A
Case: SO8
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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TPS1120D TPS1120D Hersteller : Texas Instruments tps1120.pdf MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET
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