Produkte > TOSHIBA > TPWR8004PL,L1Q(M
TPWR8004PL,L1Q(M

TPWR8004PL,L1Q(M Toshiba


docget.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance T/R
auf Bestellung 4808 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
22+6.80 EUR
34+4.18 EUR
50+3.26 EUR
100+2.94 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.22 EUR
2000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details TPWR8004PL,L1Q(M Toshiba

Description: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00065 ohm, DSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 170W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: DSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote TPWR8004PL,L1Q(M

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
TPWR8004PL,L1Q(M TPWR8004PL,L1Q(M Hersteller : TOSHIBA 3622655.pdf Description: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00065 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWR8004PL,L1Q(M TPWR8004PL,L1Q(M Hersteller : TOSHIBA 3622655.pdf Description: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00065 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWR8004PL,L1Q(M TPWR8004PL,L1Q(M Hersteller : Toshiba tpwr8004pl_datasheet_en_20191021.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH