TQM150NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A PDFN56U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A PDFN56U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 2500+ | 0.96 EUR |
| 5000+ | 0.91 EUR |
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Technische Details TQM150NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.009 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 56W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56W, Bauform - Transistor: PDFN56U, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm.
Weitere Produktangebote TQM150NB04CR RLG nach Preis ab 1.02 EUR bis 6.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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TQM150NB04CR RLG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A PDFN56U Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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TQM150NB04CR RLG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
 MOSFET 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET |
auf Bestellung 7343 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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TQM150NB04CR RLG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.009 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TQM150NB04CR RLG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.009 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 56W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: PDFN56U Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TQM150NB04CR RLG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R |
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| TQM150NB04CR RLG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; 19W; PDFN56U Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 10A Power dissipation: 19W Case: PDFN56U Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| TQM150NB04CR RLG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; 19W; PDFN56U Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 10A Power dissipation: 19W Case: PDFN56U Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of channel: enhanced |
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