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TRS10A65F,S1Q

TRS10A65F,S1Q Toshiba

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Hersteller: Toshiba
SiC Schottky Diodes RECT 650V 10A RDL SIC SKY
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Technische Details TRS10A65F,S1Q Toshiba

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 650V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220F-2L, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TRS10A65F,S1Q Toshiba Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220F Tube
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TRS10A65F,S1Q
Hersteller: Toshiba
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220F Tube
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