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TRS10E65F,S1Q

TRS10E65F,S1Q Toshiba

TRS10E65F_datasheet_en_20180627-1839577.pdf
Hersteller: Toshiba
Schottky Diodes & Rectifiers DIODE
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Technische Details TRS10E65F,S1Q Toshiba

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2L, Supplier Device Package: TO-220-2L, Current - Average Rectified (Io): 10A, Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 650V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TRS10E65F,S1Q Toshiba TRS10E65F_datasheet_en_20180627.pdf?did=53513&prodName=TRS10E65F Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin TO-220 Tube
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Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin TO-220 Tube
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