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Technische Details TRS12E65F,S1Q Toshiba
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 65pF @ 650V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote TRS12E65F,S1Q nach Preis ab 0.93 EUR bis 0.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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TRS12E65F,S1Q | Toshiba |
 Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
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| TRS12E65F,S1Q |
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Hersteller: Toshiba
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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