TRS12N65FB,S1Q Toshiba
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 10.10 EUR |
| 10+ | 8.50 EUR |
| 120+ | 6.86 EUR |
| 510+ | 6.11 EUR |
| 1020+ | 5.21 EUR |
| 2520+ | 4.93 EUR |
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Technische Details TRS12N65FB,S1Q Toshiba
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 6A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A (DC), Supplier Device Package: TO-247, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote TRS12N65FB,S1Q nach Preis ab 6.02 EUR bis 10.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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TRS12N65FB,S1Q | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: DIODE ARRAY SIC 650V 6A TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A (DC) Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V |
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TRS12N65FB,S1Q Produktcode: 188826
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