TRS12N65FB,S1Q


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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TRS12N65FB,S1Q TRS12N65FB,S1Q Hersteller : Toshiba 28272B80BF4ADC11FF6E591488DA97E9C642CA5D609E846474DC4FF6E483D34F.pdf SiC Schottky Diodes SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=12A
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TRS12N65FB,S1Q TRS12N65FB,S1Q Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69233&prodName=TRS12N65FB Description: DIODE ARRAY SIC 650V 6A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
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