| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.33 EUR |
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Technische Details TRS3E65F,S1Q Toshiba
Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 650V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote TRS3E65F,S1Q
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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TRS3E65F,S1Q | Toshiba |
 Rectifier Diode Schottky SiC 650V 3A 2-Pin TO-220 Tube |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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TRS3E65F,S1Q | Toshiba |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 3A 2-Pin TO-220 Tube |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TRS3E65F,S1Q |
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Hersteller: Toshiba
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 3A 2-Pin TO-220 Tube
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| TRS3E65F,S1Q |
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Hersteller: Toshiba
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 3A 2-Pin TO-220 Tube
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