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TRS4E65F,S1Q

TRS4E65F,S1Q Toshiba

TRS4E65F_datasheet_en_20180627-1839570.pdf Hersteller: Toshiba
Schottky Diodes & Rectifiers DIODE
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Technische Details TRS4E65F,S1Q Toshiba

Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 650V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.

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TRS4E65F,S1Q TRS4E65F,S1Q Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 650V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 4 A
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TRS4E65F,S1Q TRS4E65F,S1Q Hersteller : Toshiba trs4e65f_datasheet_en_20180627.pdf Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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