TRS4V65H,LQ(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TRS4V65H,LQ(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 650 V, 13 A, 12 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 13A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2490 Stücke:
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Technische Details TRS4V65H,LQ(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TRS4V65H,LQ(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 650 V, 13 A, 12 nC, DFN, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DFN, Kapazitive Gesamtladung: 12nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 13A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 5 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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TRS4V65H,LQ(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TRS4V65H,LQ(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 650 V, 13 A, 12 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 12nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 13A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
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