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Technische Details TRS8E65H,S1Q Toshiba
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote TRS8E65H,S1Q nach Preis ab 1.86 EUR bis 5.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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TRS8E65H,S1Q | Hersteller : Toshiba |
 Diode Schottky SiC 650V 23A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Stick |
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TRS8E65H,S1Q | Hersteller : Toshiba |
Schottky Diodes & Rectifiers G3 SiC-SBD 650V 8A TO-220-2L |
auf Bestellung 383 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TRS8E65H,S1Q | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220L Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V |
auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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