TRS8V65H,LQ(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TRS8V65H,LQ(S - SiC-Schottky-Diode, Einfache, zweifache Anode, 650 V, 23 A, 22 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfache, zweifache Anode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Technische Details TRS8V65H,LQ(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TRS8V65H,LQ(S - SiC-Schottky-Diode, Einfache, zweifache Anode, 650 V, 23 A, 22 nC, DFN, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DFN, Kapazitive Gesamtladung: 22nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Diodenkonfiguration: Einfache, zweifache Anode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 5 Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote TRS8V65H,LQ(S nach Preis ab 2.26 EUR bis 7.46 EUR
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TRS8V65H,LQ(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TRS8V65H,LQ(S - SiC-Schottky-Diode, Einfache, zweifache Anode, 650 V, 23 A, 22 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 22nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfache, zweifache Anode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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| TRS8V65H,LQ(S | Hersteller : Toshiba | TRS8V65H,LQ(S |
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