TRS8V65H,LQ(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TRS8V65H,LQ(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 650 V, 23 A, 22 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4500 Stücke:
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Technische Details TRS8V65H,LQ(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TRS8V65H,LQ(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 650 V, 23 A, 22 nC, DFN, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DFN, Kapazitive Gesamtladung: 22nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 5 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote TRS8V65H,LQ(S nach Preis ab 2.19 EUR bis 7.21 EUR
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Preis | ||||||||||||||||||||
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TRS8V65H,LQ(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TRS8V65H,LQ(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 650 V, 23 A, 22 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 22nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
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| TRS8V65H,LQ(S | Hersteller : Toshiba | TRS8V65H,LQ(S |
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