TRS8V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage


TRS8V65H_datasheet_en_20230410.pdf?did=152125&prodName=TRS8V65H
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4DFNEP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.37 EUR
10+4.24 EUR
100+3.17 EUR
500+2.58 EUR
1000+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details TRS8V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4DFNEP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 520pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8), Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V.

Weitere Produktangebote TRS8V65H,LQ nach Preis ab 3 EUR bis 8.16 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TRS8V65H,LQ TRS8V65H,LQ Toshiba datasheet_en_20230410.pdf SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 8A DFN8x8
auf Bestellung 2275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.16 EUR
10+5.38 EUR
100+3.8 EUR
500+3.22 EUR
1000+3.12 EUR
2500+3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TRS8V65H,LQ datasheet_en_20230410.pdf
Hersteller: Toshiba
SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 8A DFN8x8
auf Bestellung 2275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.16 EUR
10+5.38 EUR
100+3.8 EUR
500+3.22 EUR
1000+3.12 EUR
2500+3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH