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TSCDT10065G1

TSCDT10065G1 Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
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Technische Details TSCDT10065G1 Taiwan Semiconductor Corporation

Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 400V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.

Weitere Produktangebote TSCDT10065G1 nach Preis ab 3.56 EUR bis 7.29 EUR

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TSCDT10065G1 TSCDT10065G1 Hersteller : Taiwan Semiconductor SiC Schottky Diodes 10A, 650V, SiC Schottky Diode
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