TSCDT20065G1

TSCDT20065G1 Taiwan Semiconductor Corporation


pdf.php?pn=TSCDT20065G1 Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 92.7pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
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Technische Details TSCDT20065G1 Taiwan Semiconductor Corporation

Description: DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 92.7pF @ 400V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TSCDT20065G1 TSCDT20065G1 Hersteller : Taiwan Semiconductor pdf.php?pn=TSCDT20065G1 SiC Schottky Diodes 20A, 650V, SiC Schottky Diode
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TSCDT20065G1 Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR pdf.php?pn=TSCDT20065G1 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
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