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TSG65N190CR RVG

TSG65N190CR RVG Taiwan Semiconductor

TSG65N190CR_B2305.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor
GaN FETs 650V, 11A, PDFN56, E-mode GaN Transistor
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Technische Details TSG65N190CR RVG Taiwan Semiconductor

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11A; Idm: 19A; PDFN56, Type of transistor: N-JFET, Technology: GaN, Polarisation: unipolar, Kind of transistor: HEMT, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 11A, Pulsed drain current: 19A, Case: PDFN56, Gate-source voltage: -10...7V, On-state resistance: 0.19Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 2.2nC, Kind of package: tape, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TSG65N190CR RVG TSG65N190CR RVG Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation TSG65N190CR_B2305.pdf Description: 650V, 11A, PDFN56, E-MODE GAN TR
Packaging: Cut Tape (CT)
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TSG65N190CR RVG Hersteller : Taiwan Semiconductor tsg65n190cr_a2304.pdf Trans JFET N-CH 650V 11A GaN 8-Pin PDFN EP T/R
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TSG65N190CR RVG TSG65N190CR RVG Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation TSG65N190CR_B2305.pdf Description: 650V, 11A, PDFN56, E-MODE GAN TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
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TSG65N190CR RVG Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSG65N190CR_B2305.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11A; Idm: 19A; PDFN56
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 19A
Case: PDFN56
Gate-source voltage: -10...7V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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