TSM025NB04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
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Technische Details TSM025NB04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 24A; 45W; PDFN56U, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 24A, Power dissipation: 45W, Case: PDFN56U, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 112nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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TSM025NB04LCR RLG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 40V 24A/161A 8PDFN |
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TSM025NB04LCR RLG | Hersteller : Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 161A 8-Pin PDFN EP T/R |
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TSM025NB04LCR RLG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 24A; 45W; PDFN56U Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 24A Power dissipation: 45W Case: PDFN56U Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 112nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TSM025NB04LCR RLG | Hersteller : Taiwan Semiconductor | MOSFET 40V 161Amp 2.5mOhm N Chan Mosfet |
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TSM025NB04LCR RLG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 24A; 45W; PDFN56U Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 24A Power dissipation: 45W Case: PDFN56U Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 112nC Kind of channel: enhanced |
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