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TSM033NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR

Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0024 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PDFN56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

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Technische Details TSM033NB04CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0024 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 121A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 107W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: PDFN56, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
TSM033NB04CR RLG	Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation	Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN	auf Bestellung 4930 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TSM033NB04CR RLG	Hersteller : Taiwan Semiconductor	MOSFET 40V 121A Single N-Ch annel Power MOSFET	auf Bestellung 4399 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TSM033NB04CR RLG	Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR	Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0024 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 121A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 107W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: PDFN56 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	auf Bestellung 2467 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TSM033NB04CR RLG	Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation	Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN	auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TSM033NB04CR RLG	Hersteller : Taiwan Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 40V 121A 8-Pin PDFN EP T/R	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH