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TSM033NB04CR RLG

TSM033NB04CR RLG Taiwan Semiconductor

TSM033NB04CR_B1804.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET
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Technische Details TSM033NB04CR RLG Taiwan Semiconductor

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0024 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 121A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 107W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: PDFN56, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TSM033NB04CR RLG TSM033NB04CR RLG Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256625.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0024 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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TSM033NB04CR RLG TSM033NB04CR RLG Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation TSM033NB04CR_B1804.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN
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TSM033NB04CR RLG TSM033NB04CR RLG Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256625.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0024 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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TSM033NB04CR RLG TSM033NB04CR RLG Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation TSM033NB04CR_B1804.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN
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TSM033NB04CR RLG TSM033NB04CR RLG Hersteller : Taiwan Semiconductor tsm033nb04cr_b1804.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 121A 8-Pin PDFN EP T/R
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TSM033NB04CR RLG Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM033NB04CR_B1804.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 21A; 36W; PDFN56U
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 21A
Power dissipation: 36W
Case: PDFN56U
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
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