.JPG "TSM110NB04LCR RLG")
TSM110NB04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Hersteller: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269 pF @ 20 V
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2500+ | 0.49 EUR |
| 5000+ | 0.47 EUR |
| 12500+ | 0.43 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details TSM110NB04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 0.008 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 68, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68, Bauform - Transistor: PDFN56, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote TSM110NB04LCR RLG nach Preis ab 0.55 EUR bis 2.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TSM110NB04LCR RLG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269 pF @ 20 V |
auf Bestellung 23905 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM110NB04LCR RLG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
MOSFET 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET |
auf Bestellung 9775 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM110NB04LCR RLG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 0.008 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 68 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9 euEccn: NLR Verlustleistung: 68 Bauform - Transistor: PDFN56 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| TSM110NB04LCR RLG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 0.008 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 68 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9 euEccn: NLR Verlustleistung: 68 Bauform - Transistor: PDFN56 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
 |
TSM110NB04LCR RLG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin PDFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
| TSM110NB04LCR RLG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
TSM110NB04LCR-RLG SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |