TSM110NB04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Hersteller: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269 pF @ 20 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.46 EUR |
| 12500+ | 0.45 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details TSM110NB04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 0.008 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 68W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PDFN56, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote TSM110NB04LCR RLG nach Preis ab 0.45 EUR bis 0.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM110NB04LCR RLG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
MOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET |
auf Bestellung 9573 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
TSM110NB04LCR RLG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1269 pF @ 20 V |
auf Bestellung 22905 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
TSM110NB04LCR RLG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 0.008 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PDFN56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 4985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
|
|
TSM110NB04LCR RLG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 0.008 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 68W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PDFN56 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 4985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
 |
TSM110NB04LCR RLG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin PDFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
| TSM110NB04LCR RLG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; 23W; PDFN56 Drain-source voltage: 40V Drain current: 12A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 23W Polarisation: unipolar Kind of package: tape Gate charge: 23nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PDFN56 |
Produkt ist nicht verfügbar |