TSM1NB60CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation
Hersteller: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details TSM1NB60CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM1NB60CP ROG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote TSM1NB60CP ROG nach Preis ab 0.38 EUR bis 1.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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TSM1NB60CP ROG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
MOSFETs 600V, 1A, Single N-Channel Power MOSFET |
auf Bestellung 3795 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TSM1NB60CP ROG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V |
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TSM1NB60CP ROG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM1NB60CP ROG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 4897 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TSM1NB60CP ROG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM1NB60CP ROG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 4897 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TSM1NB60CP ROG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TSM1NB60CP ROG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 700mA; 39W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.7A Power dissipation: 39W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.1nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement |
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