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Technische Details TSM2301ACX RFG Taiwan Semiconductor
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V.
Weitere Produktangebote TSM2301ACX RFG nach Preis ab 0.2 EUR bis 1.3 EUR
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TSM2301ACX RFG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
 P Channel Power MOSFET |
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TSM2301ACX RFG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V |
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TSM2301ACX RFG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
P Channel Power MOSFET |
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TSM2301ACX RFG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V |
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| TSM2301ACX RFG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Co., Ltd. |
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 190mOhm; 2,8A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM2301CX RF; TSM2301CX-RFG; TSM2301ACX; TSM2301BCX RFG; TSM2301ACX RFG; Zamiennikiem b?dzie: TSM650P02CX; TSM2301ACX RFG TTSM2301cx Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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| TSM2301ACX RFG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
TSM2301ACX-RFG SMD P channel transistors |
auf Bestellung 1473 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TSM2301ACX RFG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
P Channel Power MOSFET |
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TSM2301ACX RFG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
P Channel Power MOSFET |
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TSM2301ACX RFG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
P Channel Power MOSFET |
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TSM2301ACX RFG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
MOSFET -20V, -2.8A, Single P-Channel Power MOSFET |
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