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TSM2301ACX RFG

TSM2301ACX RFG Taiwan Semiconductor

tsm2301a_c15.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor
P Channel Power MOSFET
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Technische Details TSM2301ACX RFG Taiwan Semiconductor

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V.

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TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor tsm2301a_c15.pdf P Channel Power MOSFET
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TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation TSM2301A_C15.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V
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TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED882FAE4CD680AEA18&compId=TSM2301A.pdf?ci_sign=9f62c84515e085428f536949bd27f7d5f60d0daf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 450mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Drain current: -1.6A
On-state resistance: 0.13Ω
Gate charge: 7.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
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TSM2301ACX RFG TSM2301ACX RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation TSM2301A_C15.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V
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TSM2301ACX RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor Co., Ltd. TSM2301A_C15.pdf Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 190mOhm; 2,8A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM2301CX RF; TSM2301CX-RFG; TSM2301ACX; TSM2301BCX RFG; TSM2301ACX RFG; Zamiennikiem b?dzie: TSM650P02CX; TSM2301ACX RFG TTSM2301cx
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