TSM2306CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation


TSM2306_B15.pdf
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.45 EUR
6000+0.42 EUR
9000+0.39 EUR
15000+0.37 EUR
21000+0.36 EUR
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Technische Details TSM2306CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2306CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TSM2306CX RFG TSM2306CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2306_B15.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
auf Bestellung 61190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.84 EUR
19+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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TSM2306CX RFG TSM2306CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2306_B15.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2306CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.32 EUR
174+1.33 EUR
267+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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auf Bestellung 61190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+1.84 EUR
19+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.57 EUR
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Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2306CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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MSL: MSL 3 - 168 Stunden
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Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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174+1.33 EUR
267+0.81 EUR
500+0.62 EUR
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Mindestbestellmenge: 108 Stücke
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