TSM2306CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Hersteller: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.38 EUR |
| 6000+ | 0.35 EUR |
| 9000+ | 0.33 EUR |
| 15000+ | 0.31 EUR |
| 21000+ | 0.3 EUR |
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Technische Details TSM2306CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2306CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote TSM2306CX RFG nach Preis ab 0.32 EUR bis 5.11 EUR
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TSM2306CX RFG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V |
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TSM2306CX RFG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 800mW; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.5A Gate charge: 7nC On-state resistance: 57mΩ Power dissipation: 0.8W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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TSM2306CX RFG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 800mW; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.5A Gate charge: 7nC On-state resistance: 57mΩ Power dissipation: 0.8W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TSM2306CX RFG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2306CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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TSM2306CX RFG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2306CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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TSM2306CX RFG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TSM2306CX RFG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
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TSM2306CX RFG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
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TSM2306CX RFG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
MOSFETs 30V, 3.5A, Single N-Channel Power MOSFET |
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