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TSM230N06CP ROG

TSM230N06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM230N06_D1802.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 34A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
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Technische Details TSM230N06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 34A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TSM230N06CP ROG TSM230N06CP ROG Hersteller : Taiwan Semiconductor tsm230n06_d1802.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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TSM230N06CP ROG TSM230N06CP ROG Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation TSM230N06_D1802.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 34A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
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TSM230N06CP ROG TSM230N06CP ROG Hersteller : Taiwan Semiconductor TSM230N06_D1802.pdf MOSFETs 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET
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TSM230N06CP ROG Hersteller : Taiwan Semiconductor Co., Ltd. TSM230N06_D1802.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 28mOhm; 50A; 53W; -55°C ~ 150°C; TSM230N06CP ROG TSM230N06CP TTSM230n06cp
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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TSM230N06CP ROG TSM230N06CP ROG Hersteller : Taiwan Semiconductor tsm230n06_d1802.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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TSM230N06CP ROG Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM230N06_D1802.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 32A; 53W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 32A
Power dissipation: 53W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
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