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TSM250NB06DCR RLG

TSM250NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM250NB06DCR_A1908.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Anzahl Preis
2500+0.73 EUR
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Technische Details TSM250NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 30A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Part Status: Active.

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TSM250NB06DCR RLG TSM250NB06DCR RLG Hersteller : Taiwan Semiconductor TSM250NB06DCR_A1908.pdf MOSFETs 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET
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TSM250NB06DCR RLG TSM250NB06DCR RLG Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation TSM250NB06DCR_A1908.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1461pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
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TSM250NB06DCR RLG TSM250NB06DCR RLG Hersteller : Taiwan Semiconductor tsm250nb06dcr_a1908.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin PDFN EP T/R
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TSM250NB06DCR RLG TSM250NB06DCR RLG Hersteller : Taiwan Semiconductor tsm250nb06dcr_a1908.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin PDFN EP T/R
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