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TSM2N7002AKCX RFG

TSM2N7002AKCX RFG Taiwan Semiconductor


tsm2n7002akcx_a2111.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details TSM2N7002AKCX RFG Taiwan Semiconductor

Description: 60V, 0.3A, SINGLE N-CHANNEL POWE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V, Power Dissipation (Max): 357mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V.

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TSM2N7002AKCX RFG TSM2N7002AKCX RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor tsm2n7002akcx_a2111.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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TSM2N7002AKCX RFG TSM2N7002AKCX RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7002AKCX_A2111.pdf Description: 60V, 0.3A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V
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TSM2N7002AKCX RFG TSM2N7002AKCX RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor TSM2N7002AKCX_A2111.pdf MOSFETs 60V, 0.3A, Single N-Channel Power MOSFET
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TSM2N7002AKCX RFG TSM2N7002AKCX RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7002AKCX_A2111.pdf Description: 60V, 0.3A, SINGLE N-CHANNEL POWE
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Power Dissipation (Max): 357mW (Ta)
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TSM2N7002AKCX RFG TSM2N7002AKCX RFG Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2N7002AKCX_A2111.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 134mA; 71mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 134mA
Power dissipation: 71mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.65nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
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