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TSM320N03CX RFG

TSM320N03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

TSM320N03CX_C1811.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 5.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 792 pF @ 15 V
auf Bestellung 72000 Stücke:
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Technische Details TSM320N03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 5.5A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 792 pF @ 15 V.

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TSM320N03CX RFG TSM320N03CX RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation TSM320N03CX_C1811.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 5.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 792 pF @ 15 V
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TSM320N03CX RFG TSM320N03CX RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor TSM320N03CX_C1811.pdf MOSFETs 30V, 5.5A, Single N-Channel Power MOSFET
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TSM320N03CX RFG TSM320N03CX RFG Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM320N03CX_C1811.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 400mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.9nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
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TSM320N03CX RFG TSM320N03CX RFG Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69D86BC7CB0232FA8&compId=TSM320N03CX-DTE.pdf?ci_sign=3605acc0cd1a436495407c7b8681cc8639b39121 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
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TSM320N03CX RFG TSM320N03CX RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor tsm320n03cx_c1811.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
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TSM320N03CX RFG TSM320N03CX RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor tsm320n03cx_c1811.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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TSM320N03CX RFG TSM320N03CX RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor tsm320n03cx_c1811.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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TSM320N03CX RFG TSM320N03CX RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor tsm320n03cx_c1811.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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