TSM3N80CH C5G

TSM3N80CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation


TSM3N80_F1706.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO251
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Technische Details TSM3N80CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.83A; 94W; IPAK, Mounting: THT, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 1.83A, Gate charge: 19nC, Power dissipation: 94W, On-state resistance: 4.2Ω, Gate-source voltage: ±30V, Case: IPAK, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.

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TSM3N80CH C5G TSM3N80CH C5G Hersteller : Taiwan Semiconductor tsm3n80_f1706.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
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TSM3N80CH C5G TSM3N80CH C5G Hersteller : Taiwan Semiconductor TSM3N80_F1706-1918916.pdf MOSFET 800V 3A Single N-Cha nnel Power MOSFET
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TSM3N80CH C5G Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM3N80_F1706.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.83A; 94W; IPAK
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.83A
Gate charge: 19nC
Power dissipation: 94W
On-state resistance: 4.2Ω
Gate-source voltage: ±30V
Case: IPAK
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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