TSM70N1R4CH C5G TAIWAN SEMICONDUCTOR
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2A; 38W; IPAK
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: IPAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details TSM70N1R4CH C5G TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2A; 38W; IPAK, Drain-source voltage: 700V, Drain current: 2A, On-state resistance: 1.4Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 38W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 7.7nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Mounting: THT, Case: IPAK, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote TSM70N1R4CH C5G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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TSM70N1R4CH C5G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 700V 3.3A TO251 |
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| TSM70N1R4CH C5G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2A; 38W; IPAK Drain-source voltage: 700V Drain current: 2A On-state resistance: 1.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Gate charge: 7.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: IPAK |
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