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TSM70NB1R4CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation
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Technische Details TSM70NB1R4CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 1.8A; 28W; DPAK, Drain-source voltage: 700V, Drain current: 1.8A, On-state resistance: 1.4Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 28W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 7.4nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Mounting: SMD, Case: DPAK, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote TSM70NB1R4CP ROG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| TSM70NB1R4CP ROG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 1.8A; 28W; DPAK Drain-source voltage: 700V Drain current: 1.8A On-state resistance: 1.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 28W Polarisation: unipolar Gate charge: 7.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Mounting: SMD Case: DPAK Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TSM70NB1R4CP ROG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 3A TO252 |
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TSM70NB1R4CP ROG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 700V, 3A |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| TSM70NB1R4CP ROG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 1.8A; 28W; DPAK Drain-source voltage: 700V Drain current: 1.8A On-state resistance: 1.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 28W Polarisation: unipolar Gate charge: 7.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Mounting: SMD Case: DPAK |
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