TT8M2TR Rohm Semiconductor
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Technische Details TT8M2TR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A 8TSST, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.25W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-TSST.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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TT8M2TR | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 2.5A 8-Pin TSST T/R |
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| TT8M2TR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 2.5A 8-Pin TSST T/R
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 2.5A 8-Pin TSST T/R
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