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TTA0002(Q)

TTA0002(Q) TOSHIBA

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE996F05AE93D1358BF&compId=TTA0002.pdf?ci_sign=0a444836f42cd734bf7ba02113d36dc5bd6f1480 Hersteller: TOSHIBA
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 18A; 180W; TO3PL
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Collector current: 18A
Power dissipation: 180W
Current gain: 80...160
Collector-emitter voltage: 160V
Frequency: 30MHz
Polarisation: bipolar
Case: TO3PL
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Technische Details TTA0002(Q) TOSHIBA

Description: TRANS PNP 160V 18A TO-3P, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3PL, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-3P(L), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 18 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 180 W.

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TTA0002(Q) TTA0002(Q) Hersteller : Toshiba 79A16923C237E22EFBC979D72FBA2F9CB4626530307E18AF29DEFA813DABC332.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT PNP -18A 180W 80 HFE -2V Trans
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TTA0002(Q) TTA0002(Q) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TTA0002_datasheet_en_20131101.pdf?did=500&prodName=TTA0002 Description: TRANS PNP 160V 18A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3PL
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(L)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 180 W
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TTA0002(Q) TTA0002(Q) Hersteller : Toshiba 545tta0002_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 160V 18A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL
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