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TW015N120C,S1F

TW015N120C,S1F Toshiba

docget.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Technische Details TW015N120C,S1F Toshiba

Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V, Power Dissipation (Max): 431W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V.

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TW015N120C,S1F TW015N120C,S1F Hersteller : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
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