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Technische Details TW015Z65C,S1F Toshiba
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 15, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Power Dissipation (Max): 342W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 400 V.
Weitere Produktangebote TW015Z65C,S1F nach Preis ab 69.13 EUR bis 87.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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TW015Z65C,S1F | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH SiC 650V 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TW015Z65C,S1F | Toshiba |
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm |
auf Bestellung 142 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TW015Z65C,S1F |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 30+ | 69.13 EUR |
| TW015Z65C,S1F |
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Hersteller: Toshiba
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 87.49 EUR |
| 10+ | 78.68 EUR |