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| Anzahl | Preis |
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Technische Details TW015Z65C,S1F Toshiba
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 15, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Power Dissipation (Max): 342W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 400 V.
Weitere Produktangebote TW015Z65C,S1F nach Preis ab 56.77 EUR bis 73.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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TW015Z65C,S1F | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH SiC 650V 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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TW015Z65C,S1F | Hersteller : Toshiba |
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm |
auf Bestellung 142 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TW015Z65C,S1F | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| TW015Z65C,S1F | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 15 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Power Dissipation (Max): 342W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 400 V |
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