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TW107Z65C,S1F

TW107Z65C,S1F Toshiba

docget.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details TW107Z65C,S1F Toshiba

Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 10, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Power Dissipation (Max): 76W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.2mA, Supplier Device Package: TO-247-4L(X), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 152mOhm @ 10A, 18V.

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TW107Z65C,S1F TW107Z65C,S1F Hersteller : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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TW107Z65C,S1F TW107Z65C,S1F Hersteller : Toshiba TW107Z65C_datasheet_en_20230616-3247341.pdf MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm
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TW107Z65C,S1F Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=149835&prodName=TW107Z65C Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 10
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 152mOhm @ 10A, 18V
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