TW123V65C,LQ(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW123V65C,LQ(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 650 V, 0.183 ohm, DFN
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 20.56 EUR |
| 15+ | 16.17 EUR |
| 18+ | 12.55 EUR |
| 50+ | 11.76 EUR |
| 100+ | 11.19 EUR |
| 250+ | 10.63 EUR |
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Technische Details TW123V65C,LQ(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW123V65C,LQ(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 650 V, 0.183 ohm, DFN, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 76W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.183ohm.
Weitere Produktangebote TW123V65C,LQ(S nach Preis ab 10.63 EUR bis 20.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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TW123V65C,LQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TW123V65C,LQ(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 650 V, 0.183 ohm, DFN tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 76W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.183ohm |
auf Bestellung 1680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TW123V65C,LQ(S |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW123V65C,LQ(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 650 V, 0.183 ohm, DFN
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.183ohm
Description: TOSHIBA - TW123V65C,LQ(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 650 V, 0.183 ohm, DFN
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.183ohm
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 13+ | 20.56 EUR |
| 15+ | 16.17 EUR |
| 18+ | 12.55 EUR |
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