TW123V65C,LQ(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW123V65C,LQ(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 650 V, 0.183 ohm, DFN
tariffCode: 85412900
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 22.04 EUR |
| 14+ | 17.08 EUR |
| 18+ | 12.59 EUR |
| 50+ | 12.34 EUR |
| 100+ | 12.08 EUR |
| 250+ | 11.84 EUR |
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Technische Details TW123V65C,LQ(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW123V65C,LQ(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 650 V, 0.183 ohm, DFN, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 76W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.183ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote TW123V65C,LQ(S nach Preis ab 11.84 EUR bis 22.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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TW123V65C,LQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TW123V65C,LQ(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 650 V, 0.183 ohm, DFN tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 76W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.183ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TW123V65C,LQ(S |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW123V65C,LQ(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 650 V, 0.183 ohm, DFN
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.183ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: TOSHIBA - TW123V65C,LQ(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 650 V, 0.183 ohm, DFN
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.183ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 12+ | 22.04 EUR |
| 14+ | 17.08 EUR |
| 18+ | 12.59 EUR |
| 50+ | 12.34 EUR |
| 100+ | 12.08 EUR |
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