Produkte > TOSHIBA > TW140N120C,S1F
TW140N120C,S1F

TW140N120C,S1F Toshiba

Toshiba_TW140N120C_E_20220615.pdf Hersteller: Toshiba
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+20.17 EUR
10+17.71 EUR
30+14.73 EUR
120+14.71 EUR
270+12.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details TW140N120C,S1F Toshiba

Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 10A, 18V, Power Dissipation (Max): 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 691 pF @ 800 V.

Weitere Produktangebote TW140N120C,S1F nach Preis ab 11.46 EUR bis 20.79 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
TW140N120C,S1F TW140N120C,S1F Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=143253&prodName=TW140N120C Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 691 pF @ 800 V
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+20.79 EUR
30+12.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW140N120C,S1F Hersteller : Toshiba docget.pdf G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+11.46 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW140N120C,S1F Hersteller : Toshiba docget.pdf G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+11.46 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW140N120C,S1F Hersteller : Toshiba docget.pdf G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW140N120C,S1F Hersteller : Toshiba docget.pdf G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TW140N120C,S1F Hersteller : Toshiba tw140n120c_datasheet_en_20220615.pdf TW140N120C,S1F
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH