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Technische Details TW140Z120C,S1F Toshiba
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 14, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Power Dissipation (Max): 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247-4L(X), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 691 pF @ 800 V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 191mOhm @ 10A, 18V.
Weitere Produktangebote TW140Z120C,S1F nach Preis ab 9.13 EUR bis 19.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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TW140Z120C,S1F | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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TW140Z120C,S1F | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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TW140Z120C,S1F | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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TW140Z120C,S1F | Hersteller : Toshiba |
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm |
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| TW140Z120C,S1F | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 14 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-4L(X) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 691 pF @ 800 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 191mOhm @ 10A, 18V |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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