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UF3C065030K3S onsemi


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Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO247-3
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Technische Details UF3C065030K3S onsemi

Description: ONSEMI - UF3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 441W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
UF3C065030K3S UF3C065030K3S Qorvo UF3C065030K3S_Data_Sheet-3177197.pdf MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-3
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UF3C065030K3S UF3C065030K3S onsemi DS_UF3C065030K3S.pdf Description: SICFET N-CH 650V 85A TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-3
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UF3C065030K3S UF3C065030K3S Qorvo / UnitedSiC USCI_S_A0011489077_1-3159562.pdf MOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
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510+30.04 EUR
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UF3C065030K3S UF3C065030K3S ONSEMI 3750882.pdf Description: ONSEMI - UF3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 441W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
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Hersteller: Qorvo
MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-3
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Hersteller: onsemi
Description: SICFET N-CH 650V 85A TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-3
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UF3C065030K3S USCI_S_A0011489077_1-3159562.pdf
Hersteller: Qorvo / UnitedSiC
MOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Dauer-Drainstrom Id: 85A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 441W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
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