UF3C065030K4S onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 34.22 EUR |
| 30+ | 27.45 EUR |
| 120+ | 21.66 EUR |
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Technische Details UF3C065030K4S onsemi
Description: ONSEMI - UF3C065030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 441W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm.
Weitere Produktangebote UF3C065030K4S nach Preis ab 26.01 EUR bis 63.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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UF3C065030K4S | UnitedSiC |
MOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-4L, REDUCED Rth |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UF3C065030K4S | Qorvo |
SiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-4 |
auf Bestellung 4774 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UF3C065030K4S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF3C065030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 441W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
auf Bestellung 470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| UF3C065030K4S |
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Hersteller: UnitedSiC
MOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-4L, REDUCED Rth
MOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-4L, REDUCED Rth
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 38.96 EUR |
| 10+ | 35.82 EUR |
| 120+ | 30.26 EUR |
| 270+ | 29.63 EUR |
| 510+ | 26.48 EUR |
| 1020+ | 26.01 EUR |
| UF3C065030K4S |
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Hersteller: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-4
SiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-4
auf Bestellung 4774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 40.09 EUR |
| 25+ | 34.83 EUR |
| 100+ | 30.06 EUR |
| 250+ | 26.85 EUR |
| 600+ | 26.83 EUR |
| UF3C065030K4S |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 441W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
Description: ONSEMI - UF3C065030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 441W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 63.22 EUR |
| 5+ | 48.12 EUR |
| 10+ | 34.65 EUR |
| 50+ | 34.62 EUR |
| 100+ | 34.55 EUR |
| 250+ | 34.51 EUR |