| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 25.68 EUR |
| 25+ | 23.61 EUR |
| 100+ | 19.94 EUR |
| 600+ | 17.8 EUR |
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Technische Details UF3C065040K3S Qorvo
Description: ONSEMI - UF3C065040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 326W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm.
Weitere Produktangebote UF3C065040K3S nach Preis ab 17.92 EUR bis 52.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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UF3C065040K3S | onsemi |
SiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO247-3 |
auf Bestellung 1176 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UF3C065040K3S | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V Power Dissipation (Max): 326W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
auf Bestellung 1190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UF3C065040K3S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF3C065040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 326W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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UF3C065040K3S | Qorvo (UnitedSiC) |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Kind of transistor: cascode Drain-source voltage: 650V Drain current: 40A Pulsed drain current: 125A Power dissipation: 326W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 42mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Version: ESD |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| UF3C065040K3S |
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Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO247-3
SiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO247-3
auf Bestellung 1176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 27.48 EUR |
| 10+ | 20.84 EUR |
| 120+ | 19.67 EUR |
| UF3C065040K3S |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 31.56 EUR |
| 30+ | 20.09 EUR |
| 120+ | 17.92 EUR |
| UF3C065040K3S |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 326W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
Description: ONSEMI - UF3C065040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 326W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 45.28 EUR |
| 7+ | 34.15 EUR |
| 10+ | 24.23 EUR |
| UF3C065040K3S |
![]() |
Hersteller: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Version: ESD
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 52.68 EUR |
| 3+ | 48.6 EUR |





