Produkte > QORVO > UF3C065040K3S
UF3C065040K3S

UF3C065040K3S Qorvo

UF3C065040K3S_Data_Sheet-3177024.pdf
Hersteller: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/40mO,SICFET,G3,TO247-3
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+21.58 EUR
25+19.84 EUR
100+16.76 EUR
600+14.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details UF3C065040K3S Qorvo

Description: ONSEMI - UF3C065040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 326W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote UF3C065040K3S nach Preis ab 15.06 EUR bis 44.27 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
UF3C065040K3S UF3C065040K3S onsemi UF3C065040K3S-D.PDF SiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO247-3
auf Bestellung 1224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.09 EUR
10+17.51 EUR
120+16.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065040K3S UF3C065040K3S onsemi UF3C065040K3S-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.52 EUR
30+16.88 EUR
120+15.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065040K3S UF3C065040K3S Qorvo (UnitedSiC) UF3C065040K3S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Version: ESD
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+44.27 EUR
3+40.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065040K3S UF3C065040K3S ONSEMI 3750886.pdf Description: ONSEMI - UF3C065040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065040K3S UF3C065040K3S-D.PDF
UF3C065040K3S
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO247-3
auf Bestellung 1224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+23.09 EUR
10+17.51 EUR
120+16.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065040K3S UF3C065040K3S-D.PDF
UF3C065040K3S
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+26.52 EUR
30+16.88 EUR
120+15.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065040K3S UF3C065040K3S.pdf
UF3C065040K3S
Hersteller: Qorvo (UnitedSiC)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Version: ESD
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+44.27 EUR
3+40.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065040K3S 3750886.pdf
UF3C065040K3S
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH