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UF3C065080B7S

UF3C065080B7S onsemi


da008632 Hersteller: onsemi
Description: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
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Technische Details UF3C065080B7S onsemi

Description: ONSEMI - UF3C065080B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27 A, 650 V, 85 mohm, D2PAK, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136.4W, Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 85mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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UF3C065080B7S UF3C065080B7S Hersteller : Qorvo UF3C065080B7S_Data_Sheet-3177034.pdf SiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
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UF3C065080B7S UF3C065080B7S Hersteller : Qorvo / UnitedSiC UF3C065080B7S_Data_Sheet-3177034.pdf MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-7L, REDUCED Rth
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UF3C065080B7S UF3C065080B7S Hersteller : onsemi da008632 Description: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
auf Bestellung 2928 Stücke:
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UF3C065080B7S UF3C065080B7S Hersteller : ONSEMI 3971370.pdf Description: ONSEMI - UF3C065080B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27 A, 650 V, 85 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136.4W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 85mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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