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UF3C065080B7S

UF3C065080B7S onsemi

UF3C065080B7S-D.PDF
Hersteller: onsemi
Description: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
auf Bestellung 14400 Stücke:
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Technische Details UF3C065080B7S onsemi

Description: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V, Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V.

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UF3C065080B7S UF3C065080B7S Qorvo / UnitedSiC UF3C065080B7S_Data_Sheet-3177034.pdf MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-7L, REDUCED Rth
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UF3C065080B7S UF3C065080B7S onsemi UF3C065080B7S-D.PDF Description: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
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Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
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UF3C065080B7S UF3C065080B7S onsemi UF3C065080B7S-D.PDF SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-7
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UF3C065080B7S
Hersteller: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
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Hersteller: Qorvo / UnitedSiC
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UF3C065080B7S
Hersteller: onsemi
Description: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
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